RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
11.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
60
Wokół strony -94% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
2477
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB
Micron Technology 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GVK 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link