RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
11.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
60
Wokół strony -94% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
2477
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Ramos Technology EEB8GB681CAE-16IC 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link