RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
12.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
60
Wokół strony -114% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
16.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
3305
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
UMAX Technology 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link