RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
12.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
60
Wokół strony -131% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
2891
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3333C16-16GVR 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link