RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
60
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
2,168.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
40
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
2254
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-XN 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link