RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
15.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
60
Wokół strony -88% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
15.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
3483
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link