RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
10.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
60
Wokół strony -58% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
38
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
10.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
2581
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston KF3200C20S4/32GX 32MB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link