RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
13.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
60
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
40
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
2959
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link