RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,168.2
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
60
Wokół strony -114% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
60
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,595.2
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,168.2
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
941
3465
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link