RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
45
65
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
2,784.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
45
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
8.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
2190
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link