RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
13.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
65
Wokół strony -63% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
2,784.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
40
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
13.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
2204
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
INTENSO 5641160 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link