RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
12.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
65
Wokół strony -160% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.7
2,784.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
12.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
5.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
1966
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link