RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,784.6
13.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
65
Wokół strony -150% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
3112
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
Samsung M378B1G73BH0-CK0 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link