RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,784.6
13.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
65
Wokół strony -81% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
36
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
3098
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Hewlett-Packard 7EH64AA#ABC 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link