RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,784.6
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
48
65
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
48
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
3047
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link