RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,784.6
12.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
65
Wokół strony -81% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
36
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
2835
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB Porównanie pamięci RAM
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965604-016.C01G 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM16G 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK64GX4M4X4000C18 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link