RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,784.6
12.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
65
Wokół strony -117% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
6400
Wokół strony 3.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
23400
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
2709
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link