RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Samsung M393B5270DH0-CK0 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB vs Samsung M393B5270DH0-CK0 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270DH0-CK0 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270DH0-CK0 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
56
Wokół strony -60% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
8.5
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.9
1,501.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
12800
4200
Wokół strony 3.05 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Samsung M393B5270DH0-CK0 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
56
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,161.0
8.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,501.2
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
4200
12800
Other
Opis
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
4-4-4-12 / 533 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
381
1888
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Samsung M393B5270DH0-CK0 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Samsung M393B5270DH0-CK0 4GB
Team Group Inc. Team-Value-800 2GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Maxsun MSD48G32Q3 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link