RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB vs SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
59
Wokół strony -90% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.9
1,559.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,505.3
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,559.1
12.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
407
3100
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB Porównanie pamięci RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T6553CZ3-CE6 512MB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link