RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Porównaj
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
52
Wokół strony -79% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
1,906.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,672.4
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,906.4
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
698
2750
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 91T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953GZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBR 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link