RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
77
Wokół strony -157% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3592
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FR 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZR 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link