RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
77
Wokół strony -166% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3209
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2666C13/16GX 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHA0 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-8GRB 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link