RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
77
Wokół strony -221% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3156
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
EXCELERAM EKBLACK4163016AD 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link