RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
77
Wokół strony -103% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
38
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2882
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston KF2933C17S4/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link