RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
53
77
Wokół strony -45% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
53
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2871
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.C1GMS.C7Z0C 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link