RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
77
Wokół strony -208% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3404
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link