RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
77
Wokół strony -141% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3385
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FADP 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link