RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
43
77
Wokół strony -79% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
43
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2430
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Jinyu 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX3466C16D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link