RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
77
Wokół strony -235% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3081
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Kingston 9905417-061.A00G 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link