RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
77
Wokół strony -141% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2739
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB Porównanie pamięci RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link