RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
77
Wokół strony -148% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.6
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
31
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
9.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2554
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD1 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905678-065.A00G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link