RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
77
Wokół strony -120% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2845
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Crucial Technology CT51264BA160B.M16F 4GB
Crucial Technology CT51264BA160BJ.M8F 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMR32GX4M4D3200C16 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link