RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
21.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
19.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
77
Wokół strony -221% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
21.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
19.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
4394
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Maxsun MSD48G30Q3 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link