RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
77
91
Wokół strony 15% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
6.1
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
4.3
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
91
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
6.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
4.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
1214
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link