RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
77
Wokół strony -196% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
26
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2880
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N-VK 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Hewlett-Packard 7EH74AA#ABC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link