RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
77
Wokół strony -75% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
5300
Wokół strony 4.83 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
44
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
25600
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3146
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Corsair CMZ8GX3M2A1866C9 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link