RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
77
Wokół strony -141% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2960
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX2933C15D4/8GX 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FF 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link