RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
56
77
Wokół strony -38% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.3
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
2,622.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
56
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2200
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R538G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link