RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
77
Wokół strony -114% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
36
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2696
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16XR 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW32GX4M4K3733C17 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link