RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
13.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
77
Wokół strony -114% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
36
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2381
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Micron Technology 16KTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMV4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology GD2.1527WE.001 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link