RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
77
Wokół strony -235% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2548
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9905678-044.A00G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Apacer Technology 78.A1G9O.9K4 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G2J2400A14K 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link