RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
77
Wokół strony -93% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
40
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
2959
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19/16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link