RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Porównaj
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
57
Wokół strony 37% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
10.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
57
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
25600
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2569
2792
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Inmos + 256MB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link