RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Porównaj
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
42
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.3
9.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.2
15
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
42
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
25600
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2569
2597
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6E1 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link