RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Porównaj
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
36
Wokół strony -16% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.1
10.3
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
31
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
17.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
17000
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2569
3711
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBR2 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston HP24D4U7S8MD-8 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link