RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Porównaj
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
36
Wokół strony -13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.8
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
10.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17000
Wokół strony 1.25 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
36
32
Prędkość odczytu, GB/s
15.0
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
10.3
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
17000
21300
Other
Opis
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2569
2641
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Corsair CMG64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2E1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link