RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
17.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
33
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
29
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
3086
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Corsair CM2X2048-6400C5DHX 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link