RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
14.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
33
Wokół strony -10% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
30
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
3332
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston K6VDX7-MIE 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Essencore Limited IM4AGU88A30-FGGHMB 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link