RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
38
Wokół strony 13% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
14.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
38
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
14.8
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
2843
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C18 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CB4GU2400.M8E 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link