RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
16.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
33
Wokół strony -43% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
23
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
2561
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
A-DATA Technology AM1L16BC2P1-B1FS 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingmax Semiconductor GLJG42F-D8KBFA------ 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link