RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
33
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
17.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
12.0
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
28
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
3546
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-XN 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link